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STH260N6F6-2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Low gate charge
• Very low on-resistance
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STH260N6F6-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.002
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：300
- Qg_typ(nC)
：183
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3469 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO-263 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
18+ |
TO-263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
TO-263 |
24+ |
ST |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
H2PAK-2 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 |
