首页>STH260N6F6-2>规格书详情
STH260N6F6-2中文资料N沟道60 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F6功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH260N6F6-2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Low gate charge
• Very low on-resistance
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STH260N6F6-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.002
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：300
- Qg_typ(nC)
：183
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
21+ |
TO-263 |
34000 |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
H2PAK-2 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
6000 |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
H2PAK-2 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST |
13+ |
TO-263 |
824 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-263 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
