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STH272N6F7-6AG中文资料Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package数据手册ST规格书
STH272N6F7-6AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STH272N6F7-6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-6
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0015
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：333
- Qg_typ(nC)
：170
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2PAK-6 |
1000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
H2PAK-2 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST意法 |
N/A |
22+ |
569888 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
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正规渠道,只有原装! |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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