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STH260N6F6-6中文资料N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package数据手册ST规格书
STH260N6F6-6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Low gate charge
• Very low on-resistance
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
:STH260N6F6-6
- 生产厂家
:ST
- Package
:H2PAK-6
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.002
- Drain Current (Dc)_max(A)
:180
- PTOT_max(W)
:300
- Qg_typ(nC)
:183
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-7 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-7 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-7 |
16900 |
原装,正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2PAK-6 |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-7 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-7 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-263-7 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
TO-263-7 |
7600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-7 |
8860 |
原装正品,支持实单 |
询价 |