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STH260N6F6-6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STH260N6F6-6

功能描述

N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-10 20:44:00

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STH260N6F6-6规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

特性 Features

• Low gate charge
• Very low on-resistance
• High avalanche ruggedness

技术参数

  • 制造商编号

    :STH260N6F6-6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-6

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.002

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :180

  • PTOT_max(W)

    :300

  • Qg_typ(nC)

    :183

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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