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STH275N8F7-2AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
技术参数
- 制造商编号
：STH275N8F7-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：80
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0021
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：315
- Qg_typ(nC)
：193
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
H2PAK-2 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
