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STH275N8F7-2AG中文资料汽车级N沟道80 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装数据手册ST规格书
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描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
技术参数
- 制造商编号
:STH275N8F7-2AG
- 生产厂家
:ST
- Package
:H2PAK-2
- Grade
:Automotive
- VDSS(V)
:80
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.0021
- Drain Current (Dc)_max(A)
:180
- PTOT_max(W)
:315
- Qg_typ(nC)
:193
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
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ST/意法 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
16900 |
原装,正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
1000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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