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STH310N10F7-6中文资料N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STH310N10F7-6

功能描述

N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 18:57:00

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STH310N10F7-6规格书详情

描述 Description

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

特性 Features

• 处于市面上最低的 RDS(on)行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力

技术参数

  • 制造商编号

    :STH310N10F7-6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-6

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0023

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :180

  • PTOT_max(W)

    :315

  • Qg_typ(nC)

    :180

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