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STH300NH02L-6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel enhancement mode Power MOSFET produced using STMicroelectronics’ STripFET™ III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Conduction losses reduced
• Low profile, very low parasitic inductance, high current package
技术参数
- 制造商编号
：STH300NH02L-6
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-6
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：24
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0015
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0012
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：300
- Qg_typ(nC)
：109
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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STM |
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TO-252 |
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STMicroelectronics |
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TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片 |
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ST意法 |
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22+ |
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STMicroelectronics |
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H2PAK |
1000 |
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ST(意法) |
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NA/ |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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STM |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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