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STH310N10F7-6

N-channel 100 V, 1.9 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages

文件:1.10258 Mbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH310N10F7-6

5 kW low voltage high current inverter for industrial motor control applications

文件:2.73644 Mbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH310N10F7-6

N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的 RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

STH3N150-2

TO-263

ST

STHVDAC-303F6

BGA

ST

技术参数

  • Package:

    H2PAK-6

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0023

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    180

  • PTOT_max(W):

    315

  • Qg_typ(nC):

    180

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法半导体
22+
TO-263-7
6002
原装正品现货 可开增值税发票
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ST(意法半导体)
24+
H2PAK-6
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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H2PAK-6
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STMicroelectronics
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
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更多STH310N10F7-6供应商 更新时间2025-12-12 8:31:00