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STGW50H60DF中文资料50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STGW50H60DF |
| 参数属性 | STGW50H60DF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 100A 360W TO247 |
| 功能描述 | 50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | STGW50H60DF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGW50H60DF规格书详情
简介
STGW50H60DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW50H60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGW50H60DF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，50A
- 开关能量：
890µJ（开），860µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
62ns/178ns
- 测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 100A 360W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3397 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ST |
2019 |
TO-247 |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-247 |
24393 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-247 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
TO-247-3 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
