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STGW39NC60VD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Low CRES / CIES ratio (no cross conduction susceptibility)
• IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode
简介
STGW39NC60VD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW39NC60VD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGW39NC60VD
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：250
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：40
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：80
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- VCE(sat)_typ(V)
：1.7
- VF_typ(V)
：2.4
- Qg_typ(nC)
：126
- Eon_typ(mJ)
：0.33
- Eoff_typ(mJ)
：0.54
- Qrr_typ(nC)
：56
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
928 |
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ST |
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TO-247 |
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STM |
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TO-247 |
20000 |
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ST/意法 |
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TO-247 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-247 |
20000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
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询价 | |||
ST |
19+ |
TO-247 |
8 |
原装现货 清仓价出 |
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ST/意法 |
2450+ |
TO-247 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
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