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STGW30NC60VD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGW30NC60VD |
| 参数属性 | STGW30NC60VD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 80A 250W TO247 |
| 功能描述 | 40 A、600 V超快IGBT，带超高速二极管 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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STGW30NC60VD规格书详情
描述 Description
This device uses the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• High current capability
• High frequency operation up to 50 kHz
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
简介
STGW30NC60VD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW30NC60VD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGW30NC60VD
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247 long leads
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：250
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：40
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：80
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- VCE(sat)_typ(V)
：1.8
- VF_typ(V)
：1.8
- Qg_typ(nC)
：100
- Eon_typ(mJ)
：0.22
- Eoff_typ(mJ)
：0.33
- Qrr_typ(nC)
：66
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
Si |
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ST/意法 |
25+ |
TO-247 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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SMD |
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ST |
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TO-247 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
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ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
8860 |
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ST |
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TO-247 |
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询价 |
