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STGW30NC60VD

40 A、600 V超快IGBT,带超高速二极管

This device uses the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • High current capability \n• High frequency operation up to 50 kHz \n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode;

ST

意法半导体

STGW30NC60VD

N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT

文件:411.41 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW30NC60VD

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 80A 250W TO247

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW30NC60W

N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT

文件:306.18 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW30NC60W

N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT

文件:98.64 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW30NC60W

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

文件:461.61 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGW30NC60VD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    220µJ(开),330µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/100ns

  • 测试条件:

    390V,20A,3.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 250W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STGW30NC60VD供应商 更新时间2026-2-8 14:04:00