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STGW30NC60VD	文件：411.41 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60VD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 250W TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GB30NC60K	文件：385.84 Kbytes Page：15 Pages	30A-600V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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GP30NC60W	文件：306.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channel30A-600V-TO-247-TO-220UltrafastswitchingPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GW30NC60KD	文件：349 Kbytes Page：14 Pages	30A-600V-shortcircuitruggedIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™processresultinginanexcellenttrade-offbetweenswitchingperformanceandlowon-statebehavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCres/Ciesratio(nocrossconductionsusceptibility) ■Shortcircuitwithstandtime10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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GW30NC60WD	文件：545.13 Kbytes Page：14 Pages	30A,600VultrafastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Highfrequencyoperation ■LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecovery	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGB30NC60K	文件：385.84 Kbytes Page：15 Pages	30A-600V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGB30NC60W	文件：461.61 Kbytes Page：16 Pages	30A-600V-ultrafastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGF30NC60S	文件：497.21 Kbytes Page：15 Pages	30A,600V,fastIGBT Features ■Optimizedperformanceformediumoperating frequenciesupto5kHzinhardswitching ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highcurrentcapability Application Motordrive Description ThisdeviceutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betw	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGFW30NC60V	文件：763.47 Kbytes Page：13 Pages	30A-600V-veryfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP30NC60K	文件：385.84 Kbytes Page：15 Pages	30A-600V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGW30NC60VD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
开关能量：
220µJ（开），330µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
31ns/100ns
测试条件：
390V，20A，3.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 80A 250W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STGW30NC60VD供应商更新时间2024-4-29 10:36:00

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