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STGW30N120KD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGW30N120KD |
| 参数属性 | STGW30N120KD 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247 |
| 功能描述 | 30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 18:28:00 |
| 人工找货 | STGW30N120KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGW30N120KD规格书详情
描述 Description
This high voltage and short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behavior.
特性 Features
Low on-losses
High current capability
Low gate charge
Short circuit withstand time 10 μs
IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling diode
简介
STGW30N120KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW30N120KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGW30N120KD
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.85V @ 15V，20A
- 开关能量：
2.4mJ（开），4.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/251ns
- 测试条件：
960V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 1200V 60A 220W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+/25+ |
5000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ST |
1926+ |
TO-247 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法 |
10+ |
TO-247 |
121 |
询价 | |||
STM |
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ST/意法 |
25+ |
TO247 |
880000 |
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询价 | ||
STM |
17+ |
TO-247 |
9888 |
只做原装,现货库存 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-247 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
30000 |
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ST/意法 |
2410+ |
TO-247 |
18000 |
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询价 |
