STGW30N120KD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
STGW30N120KD
产品分类：
芯片
生产厂商：
ST/意法
库存数量：
18000
产品封装：
TO-247
生产批号：
2410+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-8-5 13:10:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：STGW30N120KD品牌：ST/意法

原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.

STGW30N120KD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ST/意法/STMicroelectronics生产封装TO-247/TO-247-3的STGW30N120KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
STGW30N120KD
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
内容页数：
15 页
文件大小：
423.46 kb
资料说明：
30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

产品属性

类型
描述
产品编号：
STGW30N120KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.85V @ 15V，20A
开关能量：
2.4mJ（开），4.3mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/251ns
测试条件：
960V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 60A 220W TO247

供应商

企业：
深圳市向鸿伟业电子有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
李先生
手机：
13751179224
询价：
电话：
0755-82561519/0755-82567969/18928435545
传真：
0755-82561519
地址：
深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

STGW30N120KD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

STGW30N120KD

产品属性

供应商

相关型号

相近型号