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STGW30NC60WD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

STGW30NC60WD

参数属性

STGW30NC60WD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 200W TO247

功能描述

30 A、600 V超快IGBT
IGBT 600V 60A 200W TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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STGW30NC60WD规格书详情

描述 Description

This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

特性 Features

• High frequency operation
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)

简介

STGW30NC60WD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW30NC60WD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGW30NC60WD

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-247

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :200

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :30

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.9

  • VF_typ(V)

    :2.6

  • Qg_typ(nC)

    :102

  • Eon_typ(mJ)

    :0.31

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.18

  • Qrr_typ(nC)

    :50

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