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STGW30NC60WD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
STGW30NC60WD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced Power MESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• High frequency operation
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
简介
STGW30NC60WD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW30NC60WD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:STGW30NC60WD
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-247
- Grade
:Industrial
- VCES_max(V)
:600
- PTOT_max(W)
:200
- Freewheeling diode
:true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
:30
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
:60
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
:30
- VCE(sat)_typ(V)
:1.9
- VF_typ(V)
:2.6
- Qg_typ(nC)
:102
- Eon_typ(mJ)
:0.31
- Eoff_typ(mJ)
:0.18
- Qrr_typ(nC)
:50
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