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STGW45HF60WD中文资料45 A, 600 V ultrafast IGBT with ultrafast diode数据手册ST规格书

厂商型号 |
STGW45HF60WD |
参数属性 | STGW45HF60WD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 70A 250W TO247 |
功能描述 | 45 A, 600 V ultrafast IGBT with ultrafast diode |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
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STGW45HF60WD规格书详情
描述 Description
The \\\"HF\\\" series is based on a new planar technology concept to yield an IGBT with tighter variation of switching energy (Eoff) versus temperature. Suffix \\\"W\\\" denotes a subset of products tailored to high switching frequency operation over 100 kHz.
特性 Features
Improved E
off at elevated temperature
Ultra fast soft recovery antiparallel diode
Low C
RES / C
IES ratio (no cross-conduction susceptibility)
简介
STGW45HF60WD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW45HF60WD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGW45HF60WD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,30A
- 开关能量:
300µJ(开),330µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/145ns
- 测试条件:
400V,30A,6.8 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 70A 250W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
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