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STGWT30H60DFB	文件：1.43779 Mbytes Page：20 Pages	Marking：GWT30H60DFB；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWT30H60DFB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 260W TO3PL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60C	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60CFP	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60CG	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60CG-TR	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60CR	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60CT	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60CW	文件：281.01 Kbytes Page：11 Pages	Avalancherated	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPS30H60C-Y	文件：125.93 Kbytes Page：7 Pages	AutomotivepowerSchottkyrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGWT30H60DFB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
383µJ（开），293µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
37ns/146ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 60A 260W TO3PL

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