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STGWT30H60DFB分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGWT30H60DFB
厂商型号

STGWT30H60DFB

参数属性

STGWT30H60DFB 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 260W TO3PL

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
IGBT 600V 60A 260W TO3PL

丝印标识

GWT30H60DFB

封装外壳

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.43779 Mbytes

页面数量

20

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-8 23:35:00

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STGWT30H60DFB规格书详情

STGWT30H60DFB属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT30H60DFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the new HB

series of IGBTs, which represent an optimum

compromise between conduction and switching

loss to maximize the efficiency of any frequency

converter. Furthermore, the slightly positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in safer paralleling

operation.

Features

• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

• High speed switching series

• Minimized tail current

• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A

• Tight parameters distribution

• Safe paralleling

• Low thermal resistance

• Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

• Photovoltaic inverters

• High frequency converters

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGWT30H60DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    383µJ(开),293µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    37ns/146ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 260W TO3PL

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