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STGWA50M65DF2分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
![STGWA50M65DF2](https://img.114ic.com/dgk/Renders/STMicro%20Renders/497;8463846;;3.jpg)
厂商型号 |
STGWA50M65DF2 |
参数属性 | STGWA50M65DF2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low loss |
文件大小 |
971.19 Kbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-19 11:36:00 |
STGWA50M65DF2规格书详情
STGWA50M65DF2属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGWA50M65DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
STGWA50M65DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
M
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 开关能量:
880µJ(开),1.57mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
42ns/130ns
- 测试条件:
400V,50A,6.8 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247 长引线
- 描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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