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STGWT20IH125DF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGWT20IH125DF
厂商型号

STGWT20IH125DF

参数属性

STGWT20IH125DF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1250V 40A 259W TO-3P

功能描述

1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBT
IGBT 1250V 40A 259W TO-3P

丝印标识

G20IH125DF

封装外壳

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.35779 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 12:22:00

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STGWT20IH125DF规格书详情

STGWT20IH125DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT20IH125DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

描述 Description

These IGBTs are developed using an advanced

proprietary trench gate field-stop structure and

performance is optimized in both conduction and

switching losses. A freewheeling diode with a low

drop forward voltage is co-packaged. The result is

a product specifically designed to maximize

efficiency for any resonant and soft-switching

application.

特性 Features

• Designed for soft commutation only

• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

• Minimized tail current

• VCE(sat) = 2.0 V (typ.) @ IC = 15 A

• Tight parameters distribution

• Safe paralleling

• Very low VF soft recovery co-packaged diode

• Low thermal resistance

• Lead free package

Applications

• Induction heating

• Microwave oven

• Resonant converters

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGWT20IH125DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    410µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/106ns

  • 测试条件:

    600V,15A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1250V 40A 259W TO-3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO-3P
12500
ST系列在售,可接长单
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ST/意法
24+
N/A
5000
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