STGWT15H60F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	STGWT15H60F
参数属性	STGWT15H60F 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE
功能描述	Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE
丝印标识	G15H60F
封装外壳	TO-3P / TO-3P-3，SC-65-3
文件大小	845.29 Kbytes
页面数量	15 页
生产厂商	STMICROELECTRONICS
中文名称	意法半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-15 17:25:00
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STGWT15H60F规格书详情

STGWT15H60F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT15H60F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

 High speed switching

 Tight parameter distribution

 Safe paralleling

 Low thermal resistance

 Short-circuit rated

Applications

 Motor control

 UPS

 PFC

描述 Description

This device is an IGBT developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. The device is part of the H series of

IGBTs, which represents an optimum

compromise between conduction and switching

losses to maximize the efficiency of high

switching frequency converters. Furthermore, a

slightly positive VCE(sat) temperature coefficient

and very tight parameter distribution result in

safer paralleling operation.

产品属性

产品编号：
STGWT15H60F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
H
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，15A
开关能量：
136µJ（开），207µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24.5ns/118ns
测试条件：
400V，15A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE

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