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STGWA40H60DLFB分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGWA40H60DLFB |
参数属性 | STGWA40H60DLFB 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT TRENCH 600V 40A TO247 |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed in a TO-247 long leads package |
文件大小 |
871.63 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-18 18:24:00 |
STGWA40H60DLFB规格书详情
Features
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
High speed switching series
Minimized tail current
Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Tight parameter distribution
Safe paralleling
Low thermal resistance
Low VF soft recovery co-packaged diode
Applications
Induction heating
Microwave oven
Resonant converters
Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
STGWA40H60DLFB属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGWA40H60DLFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
STGWA40H60DLFB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HB
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 7V,40A
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247 长引线
- 描述:
IGBT TRENCH 600V 40A TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
21+ |
TO-247-3 |
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