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STGWA40H60DLFB	文件：871.63 Kbytes Page：15 Pages	Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed in a TO-247 long leads package Features Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C Highspeedswitchingseries Minimizedtailcurrent Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=40A Tightparameterdistribution Safeparalleling Lowthermalresistance LowVFsoftrecoveryco-packageddiode A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWA40H60DLFB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 600V 40A TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MBR40H60CT	文件：50.71 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR40H60CT	文件：99.62 Kbytes Page：4 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR40H60CT	文件：1.1325 Mbytes Page：3 Pages	Dualrectifierconstruction,positivecentertap	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR40H60CT	文件：85.1 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR40H60CT	文件：1.51197 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std (Halogen Free) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR40H60CT	文件：1.13926 Mbytes Page：3 Pages	Dualrectifierconstruction,positivecentertap	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR40H60PT	文件：565.89 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures HighefficienctyoperationandLowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR40H60PT	文件：90.49 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip260°C,40s •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR40H60PT	文件：515.23 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR40H60PT	文件：105.07 Kbytes Page：4 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR40H60PT	文件：34.33 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRB40H60CT	文件：987.13 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
STGW40H60DLFB	文件：1.49074 Mbytes Page：17 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,40Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartofthenewHBseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.Furth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWT40H60DLFB	文件：1.49074 Mbytes Page：17 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,40Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartofthenewHBseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.Furth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGWA40H60DLFB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HB
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 7V，40A
输入类型：
标准
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 长引线
描述：
IGBT TRENCH 600V 40A TO247

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