丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：313.47 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

丝印：110N10F7；Package：H2PAK-2；N-channel 100 V, 4.9 m廓 typ.,110 A, STripFET??F7 Power MOSFETs in H짼PAK-2 and H짼PAK-6 packages

文件：863.8 Kbytes 页数：19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n • 处于市面上最低的RDS(on) 行列\n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

ST
TO-263

ST

上传：深圳市励创源科技有限公司

ST/意法
TO-263

ST/意法

上传：深圳市明嘉莱科技有限公司