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STF110N10F7

丝印:110N10F7;Package:TO-220FP;N-channel 100 V, 5.1 m廓 typ., 110 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages

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意法半导体

STH110N10F7-2

丝印:110N10F7;Package:H2PAK-2;N-channel 100 V, 4.9 m廓 typ.,110 A, STripFET??F7 Power MOSFETs in H짼PAK-2 and H짼PAK-6 packages

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意法半导体

STH110N10F7-6

丝印:110N10F7;Package:H2PAK-6;N-channel 100 V, 4.9 m廓 typ.,110 A, STripFET??F7 Power MOSFETs in H짼PAK-2 and H짼PAK-6 packages

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意法半导体

STP110N10F7

丝印:110N10F7;Package:TO-220;N-channel 100 V, 5.1 m廓 typ., 110 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages

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意法半导体

110N10F7

High avalanche ruggedness

文件:1.03501 Mbytes 页数:15 Pages

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详细参数

  • 型号:

    110N10F7

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多110N10F7供应商 更新时间2025-8-8 19:49:00