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STP110N10F7	文件：319.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP110N10F7	文件：1.23098 Mbytes Page：16 Pages	丝印：110N10F7；Package：TO-220；N-channel 100 V, 5.1 m廓 typ., 110 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages 文件：1.23098 Mbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP110N10F7	文件：1.59976 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.59976 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STP110N10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道100 V、5.1 mOhm典型值、110 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。 • 超低导通电阻 \n• 经过100％雪崩测试;	ST 意法半导体	ST

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更多STP110N10F7供应商更新时间2025-12-10 19:09:00