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STP110N10F7	文件：1.23098 Mbytes Page：16 Pages	N-channel 100 V, 5.1 m廓 typ., 110 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP110N10F7	文件：1.59976 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STP110N10F7	文件：319.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
110N10F7	文件：1.03501 Mbytes Page：15 Pages	Highavalancheruggedness	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF110N10F7	文件：1.23098 Mbytes Page：16 Pages	N-channel100V,5.1m廓typ.,110A,STripFET??VIIDeepGATE??PowerMOSFETsinTO-220FPandTO-220packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF110N10F7	文件：310.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STL110N10F7	文件：1.03501 Mbytes Page：15 Pages	Highavalancheruggedness	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STLD110N10F7	文件：1.94379 Mbytes Page：13 Pages	N-channel100V,5mΩtyp.,107ASTripFET™F7PowerMOSFETinaPowerFLAT™5x6dualsidecoolingpackage Features •AmongthelowestRDS(on)onthemarket •ExcellentFoM(figureofmerit) •LowCrss/CissratioforEMIimmunity •Highavalancheruggedness Applications Switchingapplications Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizesSTripFET™F7technologywithan enhancedtrenchg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP110N10F7
功能描述：
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STP110N10F7供应商更新时间2024-4-30 18:26:00

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