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1111	文件：227.54 Kbytes Page：11 Pages	型号：PESD5V0X1ULD；Package：SOD882D；Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription UltralowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. ThedeviceishousedinaSOD882DleadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
1111	文件：230.38 Kbytes Page：11 Pages	型号：PESD5V0X1ULD-Q；Package：DFN1006D-2；Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription UltralowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedto protectonesignallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. ThedeviceishousedinaSOD882DleadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
1111	文件：295.55 Kbytes Page：12 Pages	型号：PESD8V0S1ULD；Package：SOD882D；Unidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription UnidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients.ThedeviceishousedinaSOD882D leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolde	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
1111	文件：298.22 Kbytes Page：12 Pages	型号：PESD8V0S1ULD-Q；Package：DFN1006D-2；Unidirectional ESD protection diode 1.Generaldescription UnidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients.ThedeviceishousedinaSOD882D leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolde	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
111100	文件：731.42 Kbytes Page：17 Pages	型号：PBSS4260QA；Package：DFN1010D-3；60 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5260QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
111110	文件：2.79537 Mbytes Page：22 Pages	型号：PDTA143XQA；Package：DFN1010D-3；50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsolderjoint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
111101	文件：2.76058 Mbytes Page：22 Pages	型号：PDTC143XQA；Package：DFN1010D-3；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors Generaldescription 100mANPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducedpickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
111101	文件：2.75961 Mbytes Page：22 Pages	型号：PDTC143XQA；Package：DFN1010D-3；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors Featuresandbenefits 100mAoutputcurrentcapability Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducedpickandplacecosts Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsolderjoint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
11111010	文件：704.39 Kbytes Page：14 Pages	型号：PMEG6002ELD；Package：DFN1006D-2；60 V, 0.2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
1111
功能描述：
ESD 抑制器 10 V 1.1 pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道：
8 Channels
击穿电压：
8 V
电容：
45 pF
端接类型：
SMD/SMT
封装/箱体：
uQFN-16 功率耗散
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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