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RM110N150T2

丝印:110N150;Package:TO-220-3L;N-Channel Super Trench Power MOSFET

Description The RM110N150T2 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high

文件:1.48373 Mbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正

RM110N150HD

丝印:110N150;Package:TO-263-2L;N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:316.45 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正

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更多110N150供应商 更新时间2026-7-27 11:06:00