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RM110N90DF

丝印:110N90;Package:DFN5x6;N-Channel Trench MOSFET

Features High Efficiency Low Dense Cell Design VDSS≥90V RDS(ON)≦4.7mΩ@VGS=10V improved dv/dt capability Reliable and Rugged Application Halogen-free Networking, Load Swtich LED lighting , Quick Charger

文件:900.69 Kbytes 页数:5 Pages

RECTRON

丽正

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