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RM110N150T2	文件：1.48373 Mbytes Page：7 Pages	丝印：110N150；Package：TO-220-3L；N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The RM110N150T2 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high 文件：1.48373 Mbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM110N150T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM15TB-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	MITSUBISHI 模块	Mitsubishi 三菱电机上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	Mitsubishi
RM1695	文件：0 bytes Page：0 Pages	REDMERE qfn-32	REDMERE 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	REDMERE
RM250UZ-24	文件：0 bytes Page：0 Pages	MITSUBISH 模块	MITSUBISH 上传：深圳市勤思达科技有限公司	MITSUBISH

技术参数

Id @ 25C (A)：
113 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
7.9 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
52 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
273 W
Vgs(th) (typ)：
3.0 V
Input Capacitance (Ciss)：
4362 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	RM110N150T2	NK/南科功率	2025+	TO-220	986966	国产	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	RM110N82T2		24+	N/A	58000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多RM110N150T2供应商更新时间2025-10-13 14:01:00

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