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丝印：110N82；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM110N82T2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON) 文件：286.13 Kbytes 页数：7 Pages | RECTRON 丽正 | RECTRON |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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更新时间2026-7-27 11:06:00
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