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RM110N82T2	文件：286.13 Kbytes Page：7 Pages	丝印：110N82；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM110N82T2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON) 文件：286.13 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM110N82T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM15TB-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	MITSUBISHI 模块	Mitsubishi 三菱电机上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	Mitsubishi
RM1695	文件：0 bytes Page：0 Pages	REDMERE qfn-32	REDMERE 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	REDMERE
RM250UZ-24	文件：0 bytes Page：0 Pages	MITSUBISH 模块	MITSUBISH 上传：深圳市勤思达科技有限公司	MITSUBISH

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更多RM110N82T2供应商更新时间2025-10-13 11:06:00

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