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110N12N6	文件：1.2528 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISC110N12NM6；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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110N12N6

文件：1.2528 Mbytes

Page：11 Pages

型号：ISC110N12NM6；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	ISC110N12NM6	Infineon	23+	PG-TDSON-8	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
深圳市煦洪科技有限公司	ISC110N12NM6	Infineon/英飞凌	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
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更多110N12N6供应商更新时间2025-8-4 9:08:00

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