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STGWT60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	丝印：GWT60V60DF；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Tail-less switching off • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Low thermal resistance • Very fast soft recovery antiparallel diode Applications • Photovoltaic inverters • Uninterr 文件：1.62941 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGWT60V60DF	文件：1.7345 Mbytes Page：16 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed 文件：1.7345 Mbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGWT60V60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 375W TO3P	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
G60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Tail-less switching off • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Low thermal resistance • Very fast soft recovery antiparallel diode Applications • Photovoltaic inverters • Uninterr 文件：1.62941 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GW60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Tail-less switching off • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Low thermal resistance • Very fast soft recovery antiparallel diode Applications • Photovoltaic inverters • Uninterr 文件：1.62941 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GWT60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Tail-less switching off • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Low thermal resistance • Very fast soft recovery antiparallel diode Applications • Photovoltaic inverters • Uninterr 文件：1.62941 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGWT60V60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，60A
开关能量：
750µJ（开），550µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
60ns/208ns
测试条件：
400V，60A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
描述：
IGBT 600V 80A 375W TO3P

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