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G60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Tail-less switching off • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Low thermal resistance • Very fast soft recovery antiparallel diode Applications • Photovoltaic inverters • Uninterr 文件：1.62941 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGWA60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	丝印：G60V60DF；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Tail-less switching off • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Low thermal resistance • Very fast soft recovery antiparallel diode Applications • Photovoltaic inverters • Uninterr 文件：1.62941 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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GWT60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Tail-less switching off • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A • Tight parameter distribution • Safe paralleling • Low thermal resistance • Very fast soft recovery antiparallel diode Applications • Photovoltaic inverters • Uninterr 文件：1.62941 Mbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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