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STGWT60V60DF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGWT60V60DF |
| 参数属性 | STGWT60V60DF 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 80A 375W TO3P |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
1.7345 Mbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-23 11:34:00 |
| 人工找货 | STGWT60V60DF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGWT60V60DF规格书详情
STGWT60V60DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT60V60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGWT60V60DF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，60A
- 开关能量：
750µJ（开），550µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
60ns/208ns
- 测试条件：
400V，60A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 描述：
IGBT 600V 80A 375W TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-3P-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
N/A |
5000 |
原装分货 强势渠道 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-3P-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
2511 |
TO-3P |
16900 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-3P |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
69000 |
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询价 | |||
ST |
25+23+ |
TO-3P |
35341 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-3P |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO-3P |
8635 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 |
