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STGWT60H65DFB分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGWT60H65DFB |
| 参数属性 | STGWT60H65DFB 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L |
| 功能描述 | Low thermal resistance |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
1.57984 Mbytes |
| 页面数量 |
19 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | STGWT60H65DFB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGWT60H65DFB规格书详情
STGWT60H65DFB属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT60H65DFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGWT60H65DFB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，60A
- 开关能量：
1.09mJ（开），626µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
51ns/160ns
- 测试条件：
400V，60A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-3P |
928 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3340 |
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询价 | ||
ST意法 |
21+ |
TO-247 |
3600 |
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ST |
2019 |
TO-247 |
19700 |
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ST |
21+ |
TO-3P |
10000 |
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ST |
23+ |
TO-3P |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2024+ |
TO-3P |
500000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST |
23+ |
TO-3P |
12700 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
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询价 |
