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STGWT40V60DLF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGWT40V60DLF
厂商型号

STGWT40V60DLF

参数属性

STGWT40V60DLF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

丝印标识

GWT40V60DLF

封装外壳

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.28659 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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STGWT40V60DLF规格书详情

STGWT40V60DLF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT40V60DLF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGWT40V60DLF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    411µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/208ns

  • 测试条件:

    400V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

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