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STGWT40V60DLF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
STGWT40V60DLF |
参数属性 | STGWT40V60DLF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3 |
文件大小 |
1.28659 Mbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
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STGWT40V60DLF规格书详情
STGWT40V60DLF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT40V60DLF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGWT40V60DLF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,40A
- 开关能量:
411µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/208ns
- 测试条件:
400V,40A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
180 |
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询价 | ||
STM |
23+ |
TO-247 |
50000 |
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TO-247 |
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ST |
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ST/意法 |
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TO-3P |
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ST |
23+ |
TO-3P |
16900 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
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ST |
22+ |
TO3P-3 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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ADI |
23+ |
TO-3P |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
36880 |
只做原装,QQ询价有询必回 |
询价 |