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STGWT40V60DLF_AD/亚德诺_IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT安富世纪二部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
STGWT40V60DLF
- 功能描述:
IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 配置:
Single 集电极—发射极最大电压
- VCEO:
600 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.35 V
- 栅极/发射极最大电压:
+/- 20 V 在25
- C的连续集电极电流:
80 A
- 栅极—射极漏泄电流:
250 nA
- 功率耗散:
283 W
- 最大工作温度:
+ 175 C
- 封装/箱体:
TO-3P
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市安富世纪电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
赵妍
- 手机:
18100277303
- 询价:
- 电话:
0755-23991454
- 地址:
深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E
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