首页>STGWT40V60DF>规格书详情

STGWT40V60DF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGWT40V60DF
厂商型号

STGWT40V60DF

参数属性

STGWT40V60DF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, V series
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.52758 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-13 14:54:00

人工找货

STGWT40V60DF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

STGWT40V60DF规格书详情

STGWT40V60DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT40V60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGWT40V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    456µJ(开),411µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    52ns/208ns

  • 测试条件:

    400V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ST/意法半导体
2023+
Si
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
ST/意法
2023+
TO-3P
4500
全新原装正品,优势价格
询价
ST
25+
TO3P-3
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ST/意法半导体
24+
Si
16900
原装,正品
询价
ST/意法半导体
21+
Si
8860
只做原装,质量保证
询价
ST
22+
TO3P
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ST
23+
TO-247
6996
只做原装正品现货
询价
ST/意法
22+
TO-3P
14100
原装正品
询价
STMicroelectronics
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价