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STGWF30NC60S分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGWF30NC60S |
| 参数属性 | STGWF30NC60S 封装/外壳为TO-3P-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 35A 79W TO3P |
| 功能描述 | 30 A, 600 V, fast IGBT |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-3PF / TO-3P-3 整包 |
| 文件大小 |
497.21 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 | STMICROELECTRONICS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 8:48:00 |
| 人工找货 | STGWF30NC60S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGWF30NC60S规格书详情
STGWF30NC60S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWF30NC60S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
特性 Features
■ Optimized performance for medium operating
frequencies up to 5 kHz in hard switching
■ Low on-voltage drop (VCE(sat))
■ High current capability
Application
Motor drive
描述 Description
This device utilizes the advanced PowerMESH™
process resulting in an excellent trade-off
between switching performance and low on-state
behavior.
产品属性
更多- 产品编号：
STGWF30NC60S
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，20A
- 开关能量：
300µJ（开），1.28mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
21.5ns/180ns
- 测试条件：
480V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 35A 79W TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法 |
22+ |
TO3P |
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16000 |
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