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STGWA40IH65DF分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGWA40IH65DF
厂商型号

STGWA40IH65DF

参数属性

STGWA40IH65DF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

功能描述

Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO‑247 long leads package
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

文件大小

346.82 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 21:07:00

STGWA40IH65DF规格书详情

Features

• Designed for soft commutation only

• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

• VCE(sat) = 1.5 V (typ.) @ IC = 40 A

• Minimized tail current

• Tight parameter distribution

• Low thermal resistance

• Low drop voltage freewheeling co-packaged diode

• Positive VCE(sat) temperature coefficient

Applications

• Induction heating

• Resonant converters

• Microwave ovens

Description

The newest IGBT 650 V soft-switching IH series has been developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop structure, whose performance is

optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A

freewheeling diode with a low drop forward voltage is included. The result is a

product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and softswitching

applications.

STGWA40IH65DF属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGWA40IH65DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    STGWA40IH65DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    IH

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    190µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/210ns

  • 测试条件:

    400V,40A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247 长引线

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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