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STGWT60V60DF 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ST/意法半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
STGWT60V60DF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,60A
- 开关能量:
750µJ(开),550µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
60ns/208ns
- 测试条件:
400V,60A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 375W TO3P
供应商
- 企业:
深圳市华斯顿科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱先生-余先生-夏小姐-张小姐
- 手机:
13925279453
- 询价:
- 电话:
0755-83777708/83777607/82799993
- 传真:
0755-83355559
- 地址:
深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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