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STGWT60V60DF 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体
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原厂料号:STGWT60V60DF品牌:ST/意法
ST/意法全新特价STGWT60V60DF即刻询购立享优惠#长期有货
STGWT60V60DF是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ST/意法/STMicroelectronics生产封装TO-3P/TO-3P-3,SC-65-3的STGWT60V60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
STGWT60V60DF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,60A
- 开关能量:
750µJ(开),550µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
60ns/208ns
- 测试条件:
400V,60A,4.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3,SC-65-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 375W TO3P
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