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GW60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Tail-lessswitchingoff •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications •Photovoltaicinverters •Uninterr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
GWT60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Tail-lessswitchingoff •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications •Photovoltaicinverters •Uninterr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Tail-lessswitchingoff •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications •Photovoltaicinverters •Uninterr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW60V60DF	文件：1.7345 Mbytes Page：16 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW60V60F	文件：1.32825 Mbytes Page：14 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWA60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Tail-lessswitchingoff •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications •Photovoltaicinverters •Uninterr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWA60V60DWFAG	文件：619.55 Kbytes Page：16 Pages	Automotive-gradetrenchgatefield-stop600V,60AveryhighspeedVseriesIGBTfeaturingfreewheelingSiCdiode Features •AEC-Q101qualified •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A •Tail-lessswitchingcurrent •Tightparameterdistribution •Lowthermalresistance •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Siliconcarbidediodewithno-reverserecover	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWT60V60DF	文件：1.62941 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Tail-lessswitchingoff •VCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=60A •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecoveryantiparalleldiode Applications •Photovoltaicinverters •Uninterr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWT60V60DF	文件：1.7345 Mbytes Page：16 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,60Averyhighspeed	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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