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STGY80H65DFB

Minimized tail current

ST

意法半导体

STGY80H65DFB

丝印:GY80H65DFB;Package:Max247;Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

文件:1.46448 Mbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGY80H65DFB

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW80H65DFB

High speed switching series

文件:978.33 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW80H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

文件:1.46448 Mbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW80H65FB

Low thermal resistance

文件:1.47608 Mbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGY80H65DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,80A

  • 开关能量:

    2.1mJ(开),1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    84ns/280ns

  • 测试条件:

    400V,80A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    MAX247™

  • 描述:

    IGBT 650V 120A 469W MAX247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法半导体)
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更多STGY80H65DFB供应商 更新时间2026-2-4 16:12:00