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STGY80H65DFB分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGY80H65DFB |
参数属性 | STGY80H65DFB 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247 |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed |
文件大小 |
1.46448 Mbytes |
页面数量 |
22 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 16:16:00 |
STGY80H65DFB规格书详情
STGY80H65DFB属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGY80H65DFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
STGY80H65DFB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,80A
- 开关能量:
2.1mJ(开),1.5mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
84ns/280ns
- 测试条件:
400V,80A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
MAX247™
- 描述:
IGBT 650V 120A 469W MAX247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST-意法半导体 |
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TO-247-3 |
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