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STGWT80V60F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGWT80V60F |
| 参数属性 | STGWT80V60F 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 120A 469W TO-3P |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-3P / TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
1.64813 Mbytes |
| 页面数量 |
19 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-22 12:12:00 |
| 人工找货 | STGWT80V60F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGWT80V60F规格书详情
STGWT80V60F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT80V60F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGWT80V60F
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，80A
- 开关能量：
1.8mJ（开），1mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
60ns/220ns
- 测试条件：
400V，80A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 120A 469W TO-3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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ST/意法半导体 |
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