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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STGWT80V60F | Marking：GWT80V60F；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
STGWT80V60F | Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 120A 469W TO-3P | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,80Averyhighspeed | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
Lowthermalresistance | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,80Averyhighspeed | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
Lowthermalresistance | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
STGWT80V60F
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，80A
- 开关能量：
1.8mJ（开），1mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
60ns/220ns
- 测试条件：
400V，80A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 120A 469W TO-3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
1809+ |
TO-3P |
326 |
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22+ |
NA |
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ST |
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TO3P |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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STMicroelectronics |
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TO-3P-3 SC-65-3 |
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