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STGWT60H65F	文件：1.51865 Mbytes Page：14 Pages	60 A, 650 V field stop trench gate IGBT Features ■Highspeedswitching ■Tightparameterdistribution ■Safeparalleling ■Lowthermalresistance ■6μsshort-circuitwithstandtime ■Leadfreepackage Applications ■Photovoltaicinverters ■Uninterruptiblepowersupply ■Welding ■Powerfactorcorrection ■Highswitching	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWT60H65FB	文件：1.23474 Mbytes Page：16 Pages	Low thermal resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWT60H65FB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
G60H65DFB	文件：689.96 Kbytes Page：21 Pages	Trenchgatefield-stop650V,60AhighspeedHBseriesIGBT Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DF	文件：1.92588 Mbytes Page：13 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBTwithveryfastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW60H65DFB	文件：1.57984 Mbytes Page：19 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGW60H65DRF	文件：2.06606 Mbytes Page：13 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBTwithUltrafastdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW60H65F	文件：1.43522 Mbytes Page：12 Pages	60A,650VfieldstoptrenchgateIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STGWT60H65F
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
功能描述：
IGBT 650V 60A HS TO3P-3L
功能描述：
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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