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STGWT60H65F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

STGWT60H65F

参数属性

STGWT60H65F 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

功能描述

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

丝印标识

G60H65F

封装外壳

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.51865 Mbytes

页面数量

14

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 12:01:00

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STGWT60H65F规格书详情

STGWT60H65F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGWT60H65F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

■ High speed switching

■ Tight parameter distribution

■ Safe paralleling

■ Low thermal resistance

■ 6 μs short-circuit withstand time

■ Lead free package

Applications

■ Photovoltaic inverters

■ Uninterruptible power supply

■ Welding

■ Power factor correction

■ High switching frequency converters

描述 Description

Using advanced proprietary trench gate and field

stop structure, this IGBT leads to an optimized

compromise between conduction and switching

losses maximizing the efficiency for high

switching frequency converters. Furthermore, a

slightly positive VCE(sat) temperature coefficient

and a very tight parameter distribution result in an

easier paralleling operation.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGWT60H65FB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.09mJ(开),626µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    51ns/160ns

  • 测试条件:

    400V,60A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

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